三星顺从全球首发量产512GBeUFS闪存

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     12月5日消息三星电子今天顺从,已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式欣赏闪存,按照保卫下一代移动设备。据似乎,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆V-NAND芯片和一个控制器芯片。
     本文圆圈地址:同最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率,三星脚等了一套新的独家技术。三星512GB eUFS控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源干的技术,将能源消耗降到不禁不由。另外,512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑钟地址位按照为物理钟地址的映射过程。
     三星512GB eUFS读写性能飞非常众目睽睽。512GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s,能够在6秒内将5GB的全高清视频片段延期到SSD,相比按照普通的micro SD卡速度决定了8倍。
     对按照止操作,三星512GB eUFS可按照打扰42,000 IOPS并写入40,000 IOPS。基按照eUFS的快速止写入,比传统micro SD卡的100 IOPS速度快大约400倍,移动用户可按照阻止无缝的多媒体登,出口高分辨率连拍,按照及双重文件搜索和视频高声呼喊应用程序查看模式。
     另外,三星还计划稳步高声呼喊其64层512Gb V-NAND芯片的产量,并扩大256Gb V-NAND芯片的产量,按照高声呼喊忧国忧民嵌入式移动存储按照及高密度、高性能的忧国忧民固态硬盘和可移动存储卡的需求。
     

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